G. Chen, M. Craven, A. Kim, A. Munkholm, S. Watanabe, M. Camras, W. Götz, and F. Steranka. Phys. Status Solidi A, 205 (5), 1086 – 1092 (2008).
Philips Lumileds Lighting Company
Springer Singapore, 2020. — 308 p. The book provides an overview of III-nitride-material-based light-emitting diode (LED) technology, from the basic material physics to the latest advances in the field, such as homoepitaxy and heteroepitaxy of the materials on different substrates. It also includes the latest advances in the field, such as approaches to improve quantum...
Новосибирск : СибГУТИ, 2018 — 85 с. В учебном пособии рассматриваются классификация СВЧ-диодов, системы параметров и особенности соединения СВЧ-диодов с пассивными элементами СВЧ цепей, конструктивные особенности СВЧ-диодов; эквивалентные схемы, принципы действия различных типов СВЧ-диодов, области их применения. Учебное пособие предназначено для студентов всех форм обучения...
Москва: Радио и Связь, 1983. — 220 с. Рассмотрены характеристики, физические принципы работы, конструкция и основы технологии изготовления следующих типов полупроводниковых диодов: детекторные диоды, смесительные диоды, параметрические диоды, умножительные и настроечные диоды, переключательные и ограничительные диоды, туннельные и обращённые диоды, диоды Ганна и...
Учебно-методическое пособие. — Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2012. — 37 с. Настоящее пособие посвящено изучению энергетических параметров полупроводниковых лазерных диодов с помощью измерительного прибора Lab Max-Top. Изложены физические принципы работы приемников излучения (термопарные и пироэлектрические датчики), входящих в комплект оборудования Lab Max-Top,...
Учебно-методическое пособие. — Нижний Новгород: Нижегородский госуниверситет, 2013. — 75 c. Описаны основные свойства контактов металл/полупроводник, образующих барьер Шоттки. Рассмотрены методы измерений и расчёта характеристик диода Шоттки. Изложены основы технологии формирования контактов металл/полупроводник для Si и GaAs, рассмотрены основные методы формирования контактов....
СПб.: БХВ-Петербург, 2012. - 336 с. - ISBN: 978-5-9775-0816-2 Оглавление: Предисловие Часть I - Схемы со светодиодами и семисегментными индикаторами Общие сведения, терминология и технические характеристики Физическое излучение и светотехнические величины Световой поток Сила света Кривая распределения силы света Освещенность Экспозиция Яркость Угол половинного рассеяния Расчет...
СПб.: БХВ-Петербург, 2012. - 336 с. - ISBN: 978-5-9775-0816-2 Оглавление: Предисловие Часть I - Схемы со светодиодами и семисегментными индикаторами Общие сведения, терминология и технические характеристики Физическое излучение и светотехнические величины Световой поток Сила света Кривая распределения силы света Освещенность Экспозиция Яркость Угол половинного рассеяния Расчет...
Киев: Наукова Думка, 1986. — 180 с. В книге систематизированы и обобщены результаты разработок методов прогнозирования надежности полупроводниковых лавинных диодов и исследование механизмов их деградации. Авторы опираются на собственные исследования и разработки в этой области. Проанализированные различные механизмы деградации полупроводниковых лавинных диодов с p - n переходом,...
Ташкент: Фан, 1968. - 152 с.: ил. В книге рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диодах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового...
Учебное пособие. — Саранск: Изд-во Мордов. ун-та, 2000. — 60 с. В пособии излагаются вопросы расчета и конструирования полупроводниковых выпрямительных диодов по заданной совокупности требуемых эксплуатационных параметров. Приведены методики расчета напряжения лавинного пробоя диодов, в том числе для случаев экспоненциального примесного профиля и ограничения расширения области...
Компоненты и технологии № 2'2005 Повышение производительности, достигающееся при использовании высоковольтных выпрямителей на основе карбида кремния в бустерных преобразователях, может использоваться для увеличения выходной мощности, частоты коммутации в устройствах небольших размеров или для повышения их надежности. Диоды Шоттки на основе карбидакремния компании Cree отлично...
Презентация: Технология светоизлучающих диодов и полупроводниковых лазеров. В основе работы полупроводниковых светоизлучающих диодов лежит ряд физических явлений, важнейшие из них: инжекция неосновных носителей в активную область структуры электронно-дырочным гомо- или гете-ропереходом; излучательная рекомбинация инжектированных носителей в активной области структуры. Явление...
Небольшая статья, в которой рассказывается о работе полупроводниковых диодов и триодов (транзисторов), замечательных электронных устройств, изобретение которых стало возможным только после кропотливого изучения свойств определенного типа веществ — полупроводников. Сконструированные несколько десятков лет назад, эти устройства в настоящее время стали незаменимыми элементами...
М.: Мир, 1966. — 448 с. Пер. с англ. Н.З. Шварца. Книга является первой попыткой систематизации обширного материала по применению туннельных диодов в радиотехнике и вычислительной технике. Она написана видным американским специалистом по полупроводниковым приборам, автором ряда известных книг по транзисторам. В ней рассмотрены физические явления, происходящие в туннельном...
Электронные компоненты. Выпрямительные диоды, диодные мосты и области их применения.
Номенклатура, описание, схемы применения.
2010 г. Гамма Санкт-Петербург. 13 с.
Комментарии