3-е издание, переработанное и дополненное. — Киев: Вища школа, 1987. — 422 с. В учебнике изложены основные сведения о современных и наиболее перспективных элементах и узлах технической электроники, физическая сущность явлений, происходящих в дискретных полупроводниковых приборах и интегральных микросхемах, принципы построения и анализа наиболее распространенных электронных...
Москва: Энергоатомиздат, 1992. — 112 с.: ил. — (Электроника: перспективная элементная база и применение). — ISBN: 5-283-01605-6. Рассмотрены методы решения задач по расчету параметров полупроводниковых приборов, дискретных и интегральных аналоговых схем. Задачи приведены на современной элементной базе. Все задачи даются с решениями. Использованы методы как расчета, так и...
Методические указания к лабораторным работам. — Москва: МАДИ, 2000. — 36 с. Исследование источника питания электронных схем. Диодные амплитудные ограничители последовательного типа. Исследование ключа на биполярном транзисторе. Генераторы линейно-изменяющегося напряжения (ГЛИН). Схемы импульсной техники на операционном усилителе. Триггеры на логических элементах. Двухполупериодный...
Москва: МАДИ, 2003. — 60 с. В конспекте лекций изложены принципы действия и характеристики основных полупроводниковых приборов, рассмотрены некоторые схемы аналоговых электронных устройств (усилителей, источников вторичного электропитания), а также схемы импульсной техники. Конспект лекций предназначен для студентов всех специальностей МАДИ. Полупроводниковые приборы. Особенности...
Экзамен. МАИ, 4семестр. 210305. Созданы по лекциям Литвинова В. Н. Содержание. Устройство биполярного транзистора. Распределение примесей. Схемы включения (ОБ, СО, ОК) и режимы работы. Физические процессы в биполярных транзисторах. Эффект Эрли. Коэффициенты передачи тока в биполярных транзисторах. Вольт-амперные характеристики транзистора для схемы с общей базой. Укажите на них...
Комментарии